Uno degli aspetti più interessanti dello sviluppo dei device è sicuramente l’innovazione tecnologica che essi, ad ogni presentazione, portano con sé, alzando costantemente il tasso tecnico e consentendo di ottenere prestazioni e funzionalità sempre più avanzate, proprio quest’ultimo aspetto, rappresentato da applicazioni sempre più potenti e complete ha evidenziato due dei principali problemi dei device moderni: memoria ed autonomia della batteria.
Se per il secondo le soluzioni attualmente sono poche e si è lontani dall’ottenere delle ottimizzazioni basilari che consentano di ottenere prestazioni ottimali con consumi ridotti, per il primo caso invece sembrerebbe esser finalmente giunta l’idea per dare una svolta al settore ed a proporla è stata Samsung che ha sviluppato un nuovo particolare chip di memoria, più simile ad un multi-chip a dire il vero,che aumenterà gli attuali storage interni dai massimi 64 GB attuali a ben 384 GB.
L’idea si sarebbe ottenuta grazie all’assottigliamento del singolo chip da 16 GB con uno spessore talmente ridotto da consentire al colosso coreano di sperimentare l’unioni di più memorie insieme collegandole in pila le une sulle altre, con risultato del tutto sorprendenti. Il risultato, noto come 3D V-NAND, con la “V” che indica il termine “verticale“, riferito alla distribuzione delle memorie, e “3D” allo spessore che esse accumulano, si compone di ben 24 chip da 16 GB l’uno per un totale di 384, non intaccando lo spazio interno occupato come componentistica hardware e migliorando le prestazioni, è infatti noto come uno storage interno sia preferibile in termini di accesso e fluidità di sistema rispetto ad una memoria, per quanto ampia sia, tramite slot microSD.
Si tratta di un primo ed importantissimo passo in avanti nello sviluppo dei device che potrebbe indurre, in tempi non molto lontani, ad avere smartphone con memorie interne da 384 GB perfette per poter installare tutte le applicazioni necessarie oltre alla vastità dei dati che ogni persona può contenere in un device e portare con se.