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Samsung Foundry, è iniziata la produzione di chip a 3nm

Samsung Foundry 3nm

Al momento ci sono solo due fonderie indipendenti in grado di produrre chip all’avanguardia: TSMC e Samsung Foundry. Le fonderie indipendenti prendono progetti di chip creati da altre aziende e li realizzano fisicamente. Sia TSMC che Samsung stanno lavorando alla costruzione di chip utilizzando i loro nodi di processo a 3nm. Più piccolo è il nodo di processo utilizzato, maggiore è il numero di transistor che si trovano all’interno di un chip.

Ebbene, Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa di chip a 3nm. Questo è importante perché più transistor sono impiegati in un chip, più potente ed efficiente dal punto di vista energetico può essere quel chip. Ogni due anni circa, il nodo di processo diventa più piccolo e più transistor si adattano all’interno di un circuito integrato.

Questa è la famosa “Legge di Moore” di cui avete sicuramente sentito parlare, dal nome del co-fondatore di Intel, Gordon Moore. Ricorda, questa non è una legge reale e poiché vengono costruiti componenti sempre più piccoli, questa “osservazione” non può più essere completamente contata per raddoppiare il conteggio dei transistor ogni due anni.

Così ora Samsung e TSMC stanno combattendo per la supremazia nel business della costruzione di chip per conto terzi. TSMC è il numero uno nella maggior parte delle metriche e il suo elenco di clienti include le migliori aziende tecnologiche come Apple (il suo cliente numero uno), MediaTek, Nvidia, Qualcomm (lo Snapdragon 8 Gen 1 è realizzato da Samsung) e altri. Ma sembra, secondo ExtremeTech, che Samsung presto batterà TSMC avviando la produzione di massa di chip realizzati utilizzando il suo nodo di processo a 3nm, con TSMC che inizierà la produzione di massa a 3nm entro la fine dell’anno.

Inoltre, Samsung utilizzerà una nuova struttura a transistor sui suoi chip a 3 nm chiamata GAA o gate-all-around. Con questa struttura, il flusso di corrente è controllato da porte che contattano il transistor su tutti e quattro i lati. TSMC continuerà a utilizzare la struttura FinFET in vigore dal debutto del nodo di processo a 22 nm, con il passaggio all’architettura GAA che avverrà solo dai 2nm in poi nel 2025.

Il design GAA di Samsung è chiamato Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor (MBCFET), noto anche come nanowires. Questo è uno degli unici due diversi modelli di GAA attualmente disponibili con il secondo noto come GAAFET o nanowire.

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