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Oltre a essere uno dei principali produttori di smartphone, Samsung è anche leader in molti altri settori della tecnologia, fra cui le fonderie per la produzione di chip in silicio. A questo proposito, vi segnaliamo che Qualcomm e Samsung hanno annunciato che il produttore coreano realizzerà i primi modem Snapdragon X50 per le reti 5G.
I primi modem per le reti 5G saranno realizzati con la tecnologia produttiva a 7 nm, un enorme passo avanti nell’introduzione della litografia ultravioletta estrema (EUV). Grazie infatti alla riduzione delle dimensioni dei transistor, i modem potranno operare con un’efficienza energetica molto avanzata.
Rispetto ai chip FinFET da 10 nm, la tecnologia EUV fornirà il 40% di efficienza dell’area, il 10% in più di prestazioni e fino al 35% in meno di consumo energetico. Il dispiegamento eliminerà le barriere del ridimensionamento della legge di Moore e aprirà la strada a generazioni di tecnologie semiconduttori nanometriche a una sola cifra.
Utilizzando la tecnologia di processo 7LPP EUV, i modem portatili Snapdragon 5G offriranno un ingombro del chip minore, offrendo agli OEM uno spazio maggiore da utilizzare all’interno dei prodotti imminenti per supportare batterie più grandi o design più sottili. I miglioramenti del processo, combinati con un design del chip più avanzato, dovrebbero portare miglioramenti significativi nella durata della batteria.
In molti credono che i 7 nm saranno il penultimo passo prima di arrivare al limite fisico del silicio. Intel, Samsung e TSMC probabilmente non vogliono spingersi oltre i 5 nm in quanto il costo di sviluppo sarebbe troppo elevato e la resa non perfetta. Invece, in futuro ci si concentrerà su altri materiali quali il grafene.
Ricordiamo comunque che lo Snapdragon X50 non sarà il primo modem a essere realizzato con processo produttivo a 7 nm da Samsung. All’appello è anche presente lo Snapdragon X24, il primo modem LTE in grado di raggiungere una velocità di download pari a 2 Gbps (massimo teorico).
