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Memorie DRAM a 25 nanometri nell’imminente futuro di Samsung

Secondo alcuni analisti di settore, Samsung avrebbe scelto questo come momento ideale per cominciare la fase di produzione delle memorie DRAM a 25 nanometri. Questa decisione non è certamente nuova, ma vedendo la situazione in cui si trovano le dirette concorrenti di Samsung in questo settore, come Micron ed SK Hynix, sicuramente il colosso coreano ha scelto giusto.

memorie DRAM_samsung

Efficienza energetica migliore per le nuove memorie DRAM

Attualmente il processo produttivo che viene attuato per la realizzazione di memoria DRAM per dispositivi mobile è a 65 nanometri. Inutile dire che è altamente inefficiente rispetto per esempio alle CPU, che vengono prodotte con un processo produttivo di 22 nanometri. Con il passaggio invece ai 25 nanometri, le nuove memorie DRAM potranno offrire prestazioni molto migliori con un dispendio energetico pari o addirittura minore.

Come dicevamo all’inizio, Samsung sembra aver scelto questo come momento ideale per attuare la transizione tra i 65 nm e i 25 nm. Questo perchè la condizione dei concorrenti non è delle migliori: infatti Hynix ha subito un duro arresto dopo l’incendio che ha colpito la fabbrica in Cina e Micron non completerà la propria transizione prima della fine del 2014 per motivi vari.

Efficienza energetica migliore e prestazioni migliori…speriamo solo che questo passaggio non abbia effetto sul costo finale di queste memorie DRAM.

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