Fonte: GSMArena
La collaborazione fra Samsung e Qualcomm relativamente allo sviluppo e alla realizzazione fisica del SoC Qualcomm Snapdragon 835 non sembra essere destinata a finire nel breve periodo. I due colossi infatti sarebbero già al lavoro sullo sviluppo e sulla progettazione non solo del nuovo SoC top di gamma Qualcomm Snapdragon 845 ma anche del Samsung Galaxy S9.
Relativamente al SoC, oltre alle innovazioni a livello di architettura della CPU e della GPU, è previsto l’utilizzo di un processo produttivo di nuova generazione in grado di garantire risultati ottimali a 7 nm. Come sicuramente saprete, diminuendo la dimensione di ogni singolo transistor, è possibile inserirne di più in una stessa area, rendendo la CPU, la GPU o qualsiasi chip prodotto in questa maniera più potente, più efficiente e soprattutto in grado di sviluppare meno calore.
Samsung Galaxy S9 avrebbe una tempistica perfetta per equipaggiare lo Snapdragon 845
Il report proveniente dalla Corea del Sud di cui vi stiamo parlando mette l’accento anche sulla tempistica perfetta trovata dai due colossi: Samsung in passato ha assicurato che la produzione di massa dei primi chip a 7 nm avrebbe avuto inizio nei primi mesi del 2018; il Samsung Galaxy S9 è atteso alla presentazione con le stesse tempistiche del modello attuale, ovvero intorno al mese di Marzo o Aprile.
Certo, al momento ci troviamo in un momento in cui fare previsioni sulle specifiche tecniche di uno smartphone che verrà presentato fra circa 12 mesi è alquanto difficile ma certo è che la collaborazione fra Samsung e Qualcomm non si arresterà con lo Snapdragon 835 (che peraltro dovrebbe equipaggiare anche il Samsung Galaxy Note 8).
