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Qualcomm Snapdragon 835: ecco le specifiche complete

Qualcomm Snapdragon 835 prodotto da Samsung a 10nm

Dopo averlo annunciato ufficialmente alcune settimane fa ed averci lasciati nel dubbio circa le sue caratteristiche, Qualcomm ha pubblicato ufficialmente, attraverso un evento di presentazione tenuto al CES 2017, le caratteristiche complete del Qualcomm Snapdragon 835.

Ricapitolando quello che sapevamo già, il SoC viene prodotto utilizzando un processo produttivo FinFET a 10 nm nelle fonderie di Samsung, utilizza un’architettura octa core Kryo 280, ha un consumo energetico del 40% inferiore rispetto al predecessore mentre la potenza computazionale è aumentata del 27%.

A proposito del predecessore, la tabella che vi mostriamo qui di seguito mostra in comparazione le specifiche complete del Qualcomm Snapdragon 835 e del Qualcomm Snapdragon 821:

Categoria Snapdragon 835 Snapdragon 821
Produzione 10nm FinFET (LPE) 14nm FinFET (LPP)
CPU Four 2.45GHz Kryo 280 cores
Four 1.9GHz Kryo 280 cores
Two 2.35GHz Kryo cores
Two 1.6GHz Kryo cores
GPU Adreno 540
(OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 12)
Adreno 530
(OpenGL ES 3.1, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 11.2)
Memoria Dual-channel LPDDR4X
1866MHz
29.8GB/s
Dual-channel LPDDR4
1866MHz
29.8GB/s
Storage eMMC 5.1
UFS 2.1
eMMC 5.1
UFS 2.0
Fotocamera Dual ISP fino a 32MP
16MP dual camera
Dual ISP fino a 28MP
Modem X16 gigabit LTE
Download fino a 1000Mbit/sec
Upload fino a 150Mbit/sec
X12 LTE
Download fino a 600Mbit/sec
Upload fino a 150Mbit/sec
Bluetooth Bluetooth 5 Bluetooth 4.2
Wi-Fi 802.11ad multi-gigabit Wi-Fi 802.11ac gigabit Wi-Fi
Ricarica Quick Charge 4.0 Quick Charge 3.0

Insomma, i miglioramenti ci sono e sono tanti. Particolarmente interessante il supporto ai nuovi standard Bluetooth 5.0 e WiFi 802.11ad.

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