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Qualcomm Snapdragon 835 protagonista anche su AnTuTu

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A distanza di poche ore da quando vi abbiamo mostrato il primo benchmark a cui è stato sottoposto il nuovo SoC top di gamma Qualcomm Snapdragon 835, ne torniamo a parlare in quanto su AnTuTu è apparso il risultato di uno smartphone (probabilmente la stessa dev board di cui vi abbiamo parlato ieri) avente proprio il Qualcomm Snapdragon 835.

Stavolta siamo riusciti a carpire anche le performance della CPU octa core del SoC. Volendo snocciolare subito il numero più sensazionale, il punteggio raggiunto su AnTuTu è stato di 181.434 punti, il quale è il più elevato mai fatto registrare (superiore persino a quello del chip A10 di Apple, che però rappresenta un SoC di corrente generazione).

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Analizzando i miglioramenti rispetto all’attuale Snapdragon 821, troviamo un incremento prestazionale di circa il 27% abbassando comunque i consumi del 40%. Tutto questo è dovuto principalmente al processo produttivo FinFET a 10 nm utilizzato: riducendo la dimensione dei transistor è stato possibile inserirne di più nella stessa area, raggiungendo quindi una potenza più elevata.

Il prototipo su cui è stato testato il Qualcomm Snapdragon 835 è dotato di:

  • Display da 5,9 pollici QHD
  • 4 GB di memoria RAM
  • 64 GB di storage interno
  • Sistema operativo Android 7.0 Nougat

Insomma, il Samsung Galaxy S8 (il primo smartphone che lo equipaggerà) sarà un concentrato di potenza e di efficienza energetica.

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