Durante una conferenza stampa che si è tenuta a New York, Qualcomm ha presentato ufficialmente il nuovo SoC top di gamma Qualcomm Snapdragon 835. Si tratta del primo SoC in assoluto per dispositivi mobile ad essere realizzato con processo produttivo FinFET a 10 nm. La produzione è stata affidata a Samsung, unica azienda che ancora è riuscita ad offrire una linea produttiva a 10 nm stabile.
Per quanto riguarda la potenza, il Qualcomm Snapdragon 835 ha ben il 30% di transistor in più rispetto allo Snapdragon 821 (realizzato a 14 nm). In termini pratici, si trasforma in una potenza computazionale superiore del 27% e in un’efficienza energetica migliore del 40%.
Con questo nuovo SoC esordisce anche la tecnologia Qualcomm Quick Charge 4.0 di cui vi abbiamo parlato in passato. In pratica, permetterà una ricarica del 50% in appena 15 minuti (il 20% più veloce rispetto all’attuale Quick Charge 3.0). Il tutto è possibile grazie alla tecnologia “INOV” (Intelligent Negotiation for Optimum Voltge), la quale permette di regolare in maniera intelligente il voltaggio e l’afflusso di energia nelle batterie. Inoltre, la Qualcomm Quick Charge 4.0 è perfettamente compatibile col connettore USB Type-C (segue anche le linee guida di Google per Android Nougat).
I primi smartphone ad equipaggiare il Qualcomm Snapdragon 835 arriveranno nella prima metà del 2017. Uno dei primi probabilmente sarà il Samsung Galaxy S8, per cui possiamo aspettarci novità scoppiettanti al prossimo MWC 2017 di Barcellona.
