La RAM, acronimo dell’inglese Random Access Memory ovvero memoria ad accesso casuale, è un tipo di memoria informatica caratterizzata dal permettere l’accesso diretto a qualunque indirizzo di memoria con lo stesso tempo di accesso.
Samsung Electronics ha annunciato la produzione di massa delle memorie double data rate 3 (LPDDR3) DRAM mobile da 6 GB con processo produttivo a 20 nmLa.
Jeeho Baek, vice presidente memory marketing di Samsung Electronics ha dichiarato:
La nostra nuova 20nm 6Gb LPDDR3 DRAM fornisce la soluzione più avanzata di memoria mobile per la rapida espansione ad alte prestazioni del mercato DRAM mobile. Stiamo lavorando a stretto contatto con i nostri partner globali per offrire soluzioni di memoria mobile di nuova generazione che possano essere applicate ad una più ampia gamma di mercati che vanno dai segmenti premium, a quelli standard.
I nuovi chip Samsung raggiungeranno un transfer rate pari a 2133 Mb/s. A 3 GB un pacchetto LPDDR3 si compone di quattro chip 6Gb LPDDR3, rendendone più facile l’integrazione su dispositivi mobili di ingenti quantitativi di memoria.
Il nuovo pacchetto 3GB è il 20% più piccolo e consuma circa il 10% di energia in meno rispetto al pacchetto 3GB attualmente disponibile con chip 6Gb LPDDR3.
I nuovi processi a 20 nanometri utilizzati in futuro da Samsung porteranno un’efficienza produttiva migliorata del 30%.
Samsung ha applicato già la tecnologia a 20 nanometri sui 4Gb DDR3 per PC a marzo, ed ora amplierà il suo uso includendo il nuovo processo in dispositivi mobile.
Continua la leadership di Samsung nel mercato delle DRAM mobile ad alta densità che, grazie alle ridotte dimensioni, saranno implementabili anche in tablet e dispositivi indossabili (wearable).