Dopo averlo annunciato ufficialmente alcune settimane fa ed averci lasciati nel dubbio circa le sue caratteristiche, Qualcomm ha pubblicato ufficialmente, attraverso un evento di presentazione tenuto al CES 2017, le caratteristiche complete del Qualcomm Snapdragon 835.
Ricapitolando quello che sapevamo già, il SoC viene prodotto utilizzando un processo produttivo FinFET a 10 nm nelle fonderie di Samsung, utilizza un’architettura octa core Kryo 280, ha un consumo energetico del 40% inferiore rispetto al predecessore mentre la potenza computazionale è aumentata del 27%.
A proposito del predecessore, la tabella che vi mostriamo qui di seguito mostra in comparazione le specifiche complete del Qualcomm Snapdragon 835 e del Qualcomm Snapdragon 821:
Categoria | Snapdragon 835 | Snapdragon 821 |
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Produzione | 10nm FinFET (LPE) | 14nm FinFET (LPP) |
CPU | Four 2.45GHz Kryo 280 cores Four 1.9GHz Kryo 280 cores |
Two 2.35GHz Kryo cores Two 1.6GHz Kryo cores |
GPU | Adreno 540 (OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 12) |
Adreno 530 (OpenGL ES 3.1, OpenCL 2.0, Vulkan 1.0, DirectX 11.2) |
Memoria | Dual-channel LPDDR4X 1866MHz 29.8GB/s |
Dual-channel LPDDR4 1866MHz 29.8GB/s |
Storage | eMMC 5.1 UFS 2.1 |
eMMC 5.1 UFS 2.0 |
Fotocamera | Dual ISP fino a 32MP 16MP dual camera |
Dual ISP fino a 28MP |
Modem | X16 gigabit LTE Download fino a 1000Mbit/sec Upload fino a 150Mbit/sec |
X12 LTE Download fino a 600Mbit/sec Upload fino a 150Mbit/sec |
Bluetooth | Bluetooth 5 | Bluetooth 4.2 |
Wi-Fi | 802.11ad multi-gigabit Wi-Fi | 802.11ac gigabit Wi-Fi |
Ricarica | Quick Charge 4.0 | Quick Charge 3.0 |
Insomma, i miglioramenti ci sono e sono tanti. Particolarmente interessante il supporto ai nuovi standard Bluetooth 5.0 e WiFi 802.11ad.