Attraverso un comunicato stampa pubblicato sul proprio sito, Samsung ha dichiarato di aver incominciato la produzione di massa dei primi SoC sfruttando il nuovo processo produttivo FinFET a 10nm. Si tratta di un passo in avanti molto importante per Samsung soprattutto nei confronti della concorrenza, che ancora stenta ad avviare la produzione con transistor così piccoli (Intel l’ha addirittura rimandata di un anno).
La prima produzione di massa con il processo produttivo 10nm FinFET dimostra la nostra leadership in questo settore della tecnologia.
Continueremo i nostri sforzi per innovare le tecnologie di scala e fornire soluzioni complete differenziate per i nostri clienti – Jong Shik Yoon, Executive Vice President, Head of Foundry Business at Samsung Electronics
Grazie ad una speciale struttura 3D, i SoC realizzati con questo processo produttivo arrivano ad avere fino al 27% in più di performance (rispetto a quelli realizzati a 14 nm) e fino al 40% in meno di consumi energetici.
Nonostante Samsung no ne abbia fatto menzione nel proprio comunicato, il primo cliente dovrebbe essere Qualcomm con il suo nuovo SoC top di gamma Snapdragon 830. Allo stesso modo, la produzione di massa dell’Exynos 8895 dovrebbe essere incominciata ugualmente. Ricordiamo che questi due SoC verranno implementati all’interno del nuovo Samsung Galaxy S8 (in base al mercato utilizzeranno l’uno o l’altro).